2N5795 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5795  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO77

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2N5795 datasheet

 0.1. Size:127K  microsemi
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2N5795

TECHNICAL DATA PNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified Level JAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO TO-78* Collector Current 600 mAdc IC Both(2) One(1) Section Sections

 9.1. Size:317K  rca
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2N5795

 9.2. Size:67K  central
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2N5795

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.3. Size:262K  optek
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2N5795

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5794U September 1996 Surface Mount Dual NPN Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N5794U .058 (1.47) Features Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V Hermetically sealed Collector-Base V

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