Справочник транзисторов. 2N5795

 

Биполярный транзистор 2N5795 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N5795
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO77

 Аналоги (замена) для 2N5795

 

 

2N5795 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:127K  microsemi
2n5795-96.pdf

2N5795
2N5795

TECHNICAL DATAPNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified LevelJAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value UnitsCollector-Emitter Voltage 60 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 VdcVEBO TO-78* Collector Current 600 mAdcIC Both(2) One(1) Section Sections

 9.2. Size:67K  central
2n5793 2n5794.pdf

2N5795

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.3. Size:262K  optek
2n5794u.pdf

2N5795
2N5795

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5794USeptember 1996Surface Mount Dual NPN TransistorType JANTX, JANTXV, 2N5794U.058 (1.47)FeaturesAbsolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 VHermetically sealed Collector-Base V

 9.4. Size:243K  optek
2n5796u.pdf

2N5795
2N5795

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5796USeptember 1996Surface Mount Dual PNP TransistorType JANTX, JANTXV, 2N5796U.058 (1.47)Features Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 VCeramic surface mount packageCollector-Base Voltage . . . . . . . .

 9.5. Size:187K  microsemi
2n5794u.pdf

2N5795
2N5795

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /495 DEVICES LEVELS 2N5793 JAN2N5794 2N5794U

 9.6. Size:187K  microsemi
2n5794uc 2n5794uc 2n5794u.pdf

2N5795
2N5795

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /495 DEVICES LEVELS 2N5793 JAN2N5794 2N5794U

 9.7. Size:123K  microsemi
2n5796u.pdf

2N5795
2N5795

TECHNICAL DATAPNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified LevelJAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value UnitsCollector-Emitter Voltage 60 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 VdcVEBO TO-78* Collector Current 600 mAdcIC Both(2) One(1) Section Sections

Другие транзисторы... 2N5784 , 2N5784SM , 2N5785 , 2N5785SM , 2N5786 , 2N579 , 2N5793 , 2N5794 , BC549 , 2N5796 , 2N580 , 2N5804 , 2N5805 , 2N581 , 2N5810 , 2N5811 , 2N5812 .

 

 
Back to Top