2N580 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N580
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO5
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2N580 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N5785 , 2N5785SM , 2N5786 , 2N579 , 2N5793 , 2N5794 , 2N5795 , 2N5796 , MPSA42 , 2N5804 , 2N5805 , 2N581 , 2N5810 , 2N5811 , 2N5812 , 2N5813 , 2N5814 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050