Биполярный транзистор 2N580 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N580
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
2N580 Datasheet (PDF)
2n5804 2n5805.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETE
2n5804 2n5805.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050