2N580 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N580  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N580

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N580 даташит

 ..1. Size:317K  rca
 2n373 2n374 2n456 2n457 2n497 2n544 2n561 2n578 2n579 2n580.pdf pdf_icon

2N580

 0.1. Size:103K  jmnic
 2n5804 2n5805.pdf pdf_icon

2N580

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETE

 0.2. Size:116K  inchange semiconductor
 2n5804 2n5805.pdf pdf_icon

2N580

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N5804 2N5805 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS Switching regulator Inverters Solenoid and relay drivers Motor controls PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= )

Другие транзисторы: 2N5785, 2N5785SM, 2N5786, 2N579, 2N5793, 2N5794, 2N5795, 2N5796, 2SC2383, 2N5804, 2N5805, 2N581, 2N5810, 2N5811, 2N5812, 2N5813, 2N5814