TPC6701 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPC6701 📄📄
Código: H4A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 400
Encapsulados: VS6
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TPC6701 datasheet
tpc6701.pdf
TPC6701 TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6701 High-Speed Switching Applications Unit mm Motor Drive Applications Inverter Lighting Applications Two NPN transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.17 V (max) High-s
Otros transistores... TPC6501, TPC6502, TPC6503, TPC6504, TPC6601, TPC6602, TPC6603, TPC6604, 2SD669A, TPC6D03, TPCP8501, TPCP8504, TPCP8505, TPCP8507, TPCP8510, TPCP8511, TPCP8601
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: KT635B | UN9210S | 2SD1192 | AUY34-2 | DWA423 | RN1903FE
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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