TPC6701 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPC6701  📄📄 

Маркировка: H4A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: VS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPC6701

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC6701 даташит

 ..1. Size:148K  toshiba
 tpc6701.pdf pdf_icon

TPC6701

TPC6701 TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPC6701 High-Speed Switching Applications Unit mm Motor Drive Applications Inverter Lighting Applications Two NPN transistors are mounted on a compact and slim package. High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.17 V (max) High-s

Другие транзисторы: TPC6501, TPC6502, TPC6503, TPC6504, TPC6601, TPC6602, TPC6603, TPC6604, 2SD669A, TPC6D03, TPCP8501, TPCP8504, TPCP8505, TPCP8507, TPCP8510, TPCP8511, TPCP8601