TPC6D03 Todos los transistores

 

TPC6D03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPC6D03
   Código: H8C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: VS6
 

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TPC6D03 Datasheet (PDF)

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TPC6D03

TPC6D03 TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon PNP Epitaxial Type, Schottky Barrier Diode TPC6D03 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm A PNP transistor and a Schottky barrier diode are housed on a compact and slim package. Absolute Maximum Ratings Transistor (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -20 V

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History: MPS5401 | IMBT3906

 

 
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