TPC6D03 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPC6D03  📄📄 

Código: H8C

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 9.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: VS6

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TPC6D03 datasheet

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TPC6D03

TPC6D03 TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon PNP Epitaxial Type, Schottky Barrier Diode TPC6D03 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit mm A PNP transistor and a Schottky barrier diode are housed on a compact and slim package. Absolute Maximum Ratings Transistor (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -20 V

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