Справочник транзисторов. TPC6D03

 

Биполярный транзистор TPC6D03 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TPC6D03
   Маркировка: H8C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: VS6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TPC6D03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  toshiba
 tpc6d03.pdf pdf_icon

TPC6D03

TPC6D03 TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon PNP Epitaxial Type, Schottky Barrier Diode TPC6D03 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm A PNP transistor and a Schottky barrier diode are housed on a compact and slim package. Absolute Maximum Ratings Transistor (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -20 V

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: TIP32BG | TP3393 | TP2906A | TP3053 | TPCP8507 | TP918

 

 
Back to Top

 


 
.