TPC6D03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPC6D03  📄📄 

Маркировка: H8C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: VS6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPC6D03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPC6D03 даташит

 ..1. Size:184K  toshiba
 tpc6d03.pdf pdf_icon

TPC6D03

TPC6D03 TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon PNP Epitaxial Type, Schottky Barrier Diode TPC6D03 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit mm A PNP transistor and a Schottky barrier diode are housed on a compact and slim package. Absolute Maximum Ratings Transistor (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -20 V

Другие транзисторы: TPC6502, TPC6503, TPC6504, TPC6601, TPC6602, TPC6603, TPC6604, TPC6701, TIP2955, TPCP8501, TPCP8504, TPCP8505, TPCP8507, TPCP8510, TPCP8511, TPCP8601, TPCP8602