2N5829 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N5829  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO72

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2N5829 datasheet

 9.1. Size:218K  rca
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 9.2. Size:47K  central
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2N5829

TM 2N5820 2N5822 NPN Central 2N5821 2N5823 PNP Semiconductor Corp. COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING COD

 9.3. Size:138K  microelectronics
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