2N5829 Todos los transistores

 

2N5829 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5829
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO72
 

 Búsqueda de reemplazo de 2N5829

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N5829 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:218K  rca
 2n582.pdf pdf_icon

2N5829

 9.2. Size:47K  central
 2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf pdf_icon

2N5829

TM2N5820 2N5822 NPNCentral2N5821 2N5823 PNPSemiconductor Corp.COMPLEMENTARYSILICON TRANSISTORSDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 seriestypes are epoxy molded complementary siliconsmall signal transistors manufactured by theepitaxial planar process designed for generalpurpose amplifier applications where a highcollector current rating is required.MARKING COD

 9.3. Size:138K  microelectronics
 2n5820-23.pdf pdf_icon

2N5829

Otros transistores... 2N5823 , 2N5824 , 2N5825 , 2N5826 , 2N5827 , 2N5827A , 2N5828 , 2N5828A , 2N5401 , 2N583 , 2N5830 , 2N5831 , 2N5832 , 2N5833 , 2N5834 , 2N5835 , 2N5836 .

History: GES6562

 

 
Back to Top

 


 
.