2N5829 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5829  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5829

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5829 даташит

 9.1. Size:218K  rca
 2n582.pdf pdf_icon

2N5829

 9.2. Size:47K  central
 2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf pdf_icon

2N5829

TM 2N5820 2N5822 NPN Central 2N5821 2N5823 PNP Semiconductor Corp. COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 series types are epoxy molded complementary silicon small signal transistors manufactured by the epitaxial planar process designed for general purpose amplifier applications where a high collector current rating is required. MARKING COD

 9.3. Size:138K  microelectronics
 2n5820-23.pdf pdf_icon

2N5829

Другие транзисторы: 2N5823, 2N5824, 2N5825, 2N5826, 2N5827, 2N5827A, 2N5828, 2N5828A, C945, 2N583, 2N5830, 2N5831, 2N5832, 2N5833, 2N5834, 2N5835, 2N5836