Биполярный транзистор 2N5829 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5829
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO72
2N5829 Datasheet (PDF)
9.2. Size:47K central
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
2n5820 2n5821 2n5822 2n5823.pdf
TM2N5820 2N5822 NPNCentral2N5821 2N5823 PNPSemiconductor Corp.COMPLEMENTARYSILICON TRANSISTORSDESCRIPTION:The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5820 seriestypes are epoxy molded complementary siliconsmall signal transistors manufactured by theepitaxial planar process designed for generalpurpose amplifier applications where a highcollector current rating is required.MARKING COD
Другие транзисторы... 2N5823 , 2N5824 , 2N5825 , 2N5826 , 2N5827 , 2N5827A , 2N5828 , 2N5828A , 2N3055 , 2N583 , 2N5830 , 2N5831 , 2N5832 , 2N5833 , 2N5834 , 2N5835 , 2N5836 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050