DTD513ZM Todos los transistores

 

DTD513ZM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTD513ZM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: SC-105AA VMT3 SOT723

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Principales características: DTD513ZM

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DTD513ZM

500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD513ZE / DTD513ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD513ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 ( ) 3 Feature 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 2) Built-in bias resistors enable the configuration of 0.15 (1) GND 0.5 0.5 an inverter circuit wit

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