Биполярный транзистор DTD513ZM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DTD513ZM
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723
DTD513ZM Datasheet (PDF)
7.1. Size:178K rohm
dtd513ze.pdf
dtd513ze.pdf
500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD513ZE / DTD513ZM Applications Dimensions (Unit : mm) Inverter, Interface, Driver DTD513ZE1.6 0.7 0.550.3( )3 Feature 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( )2 10.2 0.22) Built-in bias resistors enable the configuration of 0.15(1) GND0.5 0.5an inverter circuit wit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: NSV40200L
History: NSV40200L
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050