DTD513ZM - описание и поиск аналогов

 

DTD513ZM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTD513ZM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: SC-105AA VMT3 SOT723

 Аналоги (замена) для DTD513ZM

 

DTD513ZM - технические параметры

 7.1. Size:178K  rohm
 dtd513ze.pdf pdf_icon

DTD513ZM

500mA / 12V Low VCE (sat) Digital transistors (with built-in resistors) DTD513ZE / DTD513ZM Applications Dimensions (Unit mm) Inverter, Interface, Driver DTD513ZE 1.6 0.7 0.55 0.3 ( ) 3 Feature 1) VCE (sat) is lower than conventional products. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 2) Built-in bias resistors enable the configuration of 0.15 (1) GND 0.5 0.5 an inverter circuit wit

Другие транзисторы... DTC144EEB , DTC144EM , DTC144EUB , DTC144WE , DTD113ZK , DTD113ZU , DTD123YK , DTD513ZE , TIP31 , DTD523YE , DTD523YM , DTD543EE , DTD543EM , DTD543XE , DTD543XM , DTD543ZE , DTD543ZM .

 

 
Back to Top

 


 
.