KTC4666 Todos los transistores

 

KTC4666 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KTC4666
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 600
   Paquete / Cubierta: USM
 

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KTC4666 Datasheet (PDF)

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KTC4666

SEMICONDUCTOR KTC4666TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORLOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. EFEATUREM B MDIM MILLIMETERSHigh hFE : hFE=6003600._A+2.00 0.20D2Noise Figure : 0.5dB(Typ.) at f=100kHz. _+B 1.25 0.15_+C 0.90 0.1031D 0.3+0.10/-0.05_E +2.10 0.20G 0.65H 0.15+0.1/-0.06J 1.30MAXIMUM RATING (Ta=25)K 0.00-0.10L

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