KTC4666 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC4666  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 600

Encapsulados: USM

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KTC4666 datasheet

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KTC4666

SEMICONDUCTOR KTC4666 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURE M B M DIM MILLIMETERS High hFE hFE=600 3600. _ A + 2.00 0.20 D 2 Noise Figure 0.5dB(Typ.) at f=100kHz. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L

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