KTC4666 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC4666  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600

Корпус транзистора: USM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC4666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC4666 даташит

 ..1. Size:39K  kec
 ktc4666.pdf pdf_icon

KTC4666

SEMICONDUCTOR KTC4666 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. E FEATURE M B M DIM MILLIMETERS High hFE hFE=600 3600. _ A + 2.00 0.20 D 2 Noise Figure 0.5dB(Typ.) at f=100kHz. _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ E + 2.10 0.20 G 0.65 H 0.15+0.1/-0.06 J 1.30 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) K 0.00-0.10 L

Другие транзисторы: KTC4080E, KTC4081, KTC4217, KTC4468, KTC4511, KTC4520F, KTC4521F, KTC4527F, TIP35C, KTC4793, KTC5001D, KTC5001L, KTC5027, KTC5027F, KTC5103D, KTC5103L, KTC5197