KTC5197 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC5197  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 120 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 55

Encapsulados: TO3PN

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KTC5197 datasheet

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KTC5197

SEMICONDUCTOR KTC5197 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Recommended for 55W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to KTA1940. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATIN

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KTC5197

SEMICONDUCTOR KTC5103D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT A I C J FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 High Power Dissipation PC=1.3W(Ta=25 ) _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 Complementary to KTA1385D/L _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 H 1.00 MAX _ I 2.30 + 0.2 _ J 0.5 + 0.1 _ H K 2.00 +

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