KTC5197 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KTC5197  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KTC5197

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KTC5197 даташит

 ..1. Size:270K  kec
 ktc5197.pdf pdf_icon

KTC5197

SEMICONDUCTOR KTC5197 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Recommended for 55W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to KTA1940. A 15.9 MAX B 4.8 MAX _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 3.3 MAX d H 9.0 CHARACTERISTIC SYMBOL RATIN

 9.1. Size:400K  kec
 ktc5103d l.pdf pdf_icon

KTC5197

SEMICONDUCTOR KTC5103D/L TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT A I C J FEATURES DIM MILLIMETERS _ A 6.60 + 0.2 High Power Dissipation PC=1.3W(Ta=25 ) _ B 6.10 + 0.2 _ C 5.0 + 0.2 Complementary to KTA1385D/L _ D 1.10 + 0.2 _ E 2.70 + 0.2 _ F 2.30 + 0.1 H 1.00 MAX _ I 2.30 + 0.2 _ J 0.5 + 0.1 _ H K 2.00 +

Другие транзисторы: KTC4666, KTC4793, KTC5001D, KTC5001L, KTC5027, KTC5027F, KTC5103D, KTC5103L, 2SC945, KTC5242, KTC5242A, KTC5706, KTC5706D, KTC5706L, KTC5707D, KTC5707L, KTC601E