CFB810 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CFB810 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 110 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: TO-220FP
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Búsqueda de reemplazo de CFB810
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CFB810 datasheet
cfb810.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CFB810 (9AW) TO-220FP MARKING - CFB 810 Designed for Relay Drive and Motor Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage VCEO 110 V Emitter Base Voltage VEB
Otros transistores... CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, CFB1370, CFB612, 2N3906, CFD1933, CFD611, CFD811, CJF122, CJF127, CJF15028, CJF15029, CJF15030
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: KSB564AO
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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