CFB810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CFB810  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-220FP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CFB810

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CFB810 даташит

 ..1. Size:83K  cdil
 cfb810.pdf pdf_icon

CFB810

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CFB810 (9AW) TO-220FP MARKING - CFB 810 Designed for Relay Drive and Motor Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage VCEO 110 V Emitter Base Voltage VEB

Другие транзисторы: CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, CFB1370, CFB612, 2N3906, CFD1933, CFD611, CFD811, CJF122, CJF127, CJF15028, CJF15029, CJF15030