CSB1626 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSB1626
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
Paquete / Cubierta: TO-220
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CSB1626 Datasheet (PDF)
csb1626.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB1626TO-220Plastic PackageComplementary CSD2495ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage(open emitter) VCBO 110 VCollector -Emitter Voltage(open base) VCEO 110 VEmitter Base Voltage(open col
Otros transistores... CSB1426Q , CSB1426R , CSB1436 , CSB1436P , CSB1436Q , CSB1436R , CSB1516 , CSB1535 , BC548 , CSB546 , CSB546O , CSB546R , CSB546Y , CSB564A , CSB564AG , CSB564AO , CSB564AY .
History: 2N2405 | 2N5049



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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