CSB1626 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSB1626  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 110 V

Tensión colector-emisor (Vce): 110 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000

Encapsulados: TO-220

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CSB1626 datasheet

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CSB1626

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB1626 TO-220 Plastic Package Complementary CSD2495 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage(open emitter) VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage(open base) VCEO 110 V Emitter Base Voltage(open col

Otros transistores... CSB1426Q, CSB1426R, CSB1436, CSB1436P, CSB1436Q, CSB1436R, CSB1516, CSB1535, 13009, CSB546, CSB546O, CSB546R, CSB546Y, CSB564A, CSB564AG, CSB564AO, CSB564AY