CSB1626 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CSB1626
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 110 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 110 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CSB1626

CSB1626 Datasheet (PDF)

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csb1626.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB1626TO-220Plastic PackageComplementary CSD2495ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage(open emitter) VCBO 110 VCollector -Emitter Voltage(open base) VCEO 110 VEmitter Base Voltage(open col

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: DJT4030P

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GN1A3Q | D965-KEHE | 2SD662B | 2SD661A | 2SC3080 | S9018L | S9012J | 2SA73L | 2SA73H | 2SA1015H | WT955 | TS13005CK | TP5001P3 | SS8550W-L | SS8550W-J | SS8550W-H | SS8550E | SS8550D | SS8550C | SS8050E | SS8050D