CSB1626 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSB1626  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSB1626

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1626 даташит

 ..1. Size:307K  cdil
 csb1626.pdf pdf_icon

CSB1626

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB1626 TO-220 Plastic Package Complementary CSD2495 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage(open emitter) VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage(open base) VCEO 110 V Emitter Base Voltage(open col

Другие транзисторы: CSB1426Q, CSB1426R, CSB1436, CSB1436P, CSB1436Q, CSB1436R, CSB1516, CSB1535, 13009, CSB546, CSB546O, CSB546R, CSB546Y, CSB564A, CSB564AG, CSB564AO, CSB564AY