CSB1626 - описание и поиск аналогов

 

CSB1626. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1626

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB1626

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1626 даташит

 ..1. Size:307K  cdil
 csb1626.pdf pdf_icon

CSB1626

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB1626 TO-220 Plastic Package Complementary CSD2495 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage(open emitter) VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage(open base) VCEO 110 V Emitter Base Voltage(open col

Другие транзисторы... CSB1426Q , CSB1426R , CSB1436 , CSB1436P , CSB1436Q , CSB1436R , CSB1516 , CSB1535 , 13009 , CSB546 , CSB546O , CSB546R , CSB546Y , CSB564A , CSB564AG , CSB564AO , CSB564AY .

History: CSC536KF | 2SB808G | CSC815

 

 

 


 
↑ Back to Top
.