CSB621Q Todos los transistores

 

CSB621Q Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB621Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CSB621Q datasheet

 8.1. Size:238K  cdil
 csb621 621a q r s.pdf pdf_icon

CSB621Q

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621A TO-92 Plastic Package B C E AF Output Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 50 V VCBO Collector Base Voltage 30 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V I

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