CSB621Q - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CSB621Q. Основные параметры


   Наименование производителя: CSB621Q
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSB621Q

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB621Q даташит

 8.1. Size:238K  cdil
 csb621 621a q r s.pdf pdf_icon

CSB621Q

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621A TO-92 Plastic Package B C E AF Output Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 50 V VCBO Collector Base Voltage 30 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V I

Другие транзисторы... CSB564AG , CSB564AO , CSB564AY , CSB612 , CSB621 , CSB621A , CSB621AQ , CSB621AS , MJE340 , CSB621R , CSB621S , CSB631 , CSB631D , CSB631E , CSB631F , CSB631K , CSB631KD .

History: 2SA1013R

 

 

 


 
↑ Back to Top
.