CSD2470 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CSD2470
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
Paquete / Cubierta: TO-92
- Selección de transistores por parámetros
CSD2470 Datasheet (PDF)
csd2470.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD2470TO-92Plastic PackageBCEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 15 VVCEOCollector Emitter Voltage 10 VVEBOEmitter Base Voltage 7.0 VICCollector Current 5.0 A*ICPCollector Current Peak
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: BTD1664M3 | 2SD1077 | AD702S | DDTA143ZE | RT3T33M | 2PB709AQW | 2N2108
History: BTD1664M3 | 2SD1077 | AD702S | DDTA143ZE | RT3T33M | 2PB709AQW | 2N2108



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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