CSD2470 Todos los transistores

 

CSD2470 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD2470
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: TO-92
 

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CSD2470 datasheet

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CSD2470

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD2470 TO-92 Plastic Package B C E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 15 V VCEO Collector Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V IC Collector Current 5.0 A *ICP Collector Current Peak... See More ⇒

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History: BD829A

 

 
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