CSD2470 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSD2470  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSD2470

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD2470 даташит

 ..1. Size:235K  cdil
 csd2470.pdf pdf_icon

CSD2470

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD2470 TO-92 Plastic Package B C E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 15 V VCEO Collector Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V IC Collector Current 5.0 A *ICP Collector Current Peak

Другие транзисторы: CSCL2383, CSCL2482, CSD1468, CSD1468Q, CSD1468R, CSD1468S, CSD1489B, CSD1733, A42, CSD362, CSD362N, CSD362O, CSD362R, CSD363, CSD363O, CSD363R, CSD363Y