CSD2470 - описание и поиск аналогов

 

CSD2470 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSD2470
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSD2470

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD2470 - технические параметры

 ..1. Size:235K  cdil
csd2470.pdfpdf_icon

CSD2470

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSD2470 TO-92 Plastic Package B C E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 15 V VCEO Collector Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V IC Collector Current 5.0 A *ICP Collector Current Peak

Другие транзисторы... CSCL2383 , CSCL2482 , CSD1468 , CSD1468Q , CSD1468R , CSD1468S , CSD1489B , CSD1733 , A42 , CSD362 , CSD362N , CSD362O , CSD362R , CSD363 , CSD363O , CSD363R , CSD363Y .

History: BD829A

 

 
Back to Top

 


 
.