MZT3055 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MZT3055 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 6 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: SOT-223
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MZT3055 datasheet
mzt3055 mzt2955.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS MZT2955 PNP MZT3055 NPN SOT-223 Formed SMD Package With excellent Safe Operating Area, ideal for Hi-Fi Amplifier and Switching Regulator Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 60 V VCBO Collector
Otros transistores... CSD882P, CSD882Q, CSD882R, CSDL468, CSL13003, CTU83, CVL639, CVL640, BD135, P2N2369, P2N2369A, P2N2907A, PN100, PN200, 2CF2325, SL100, 2N23867
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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