MZT3055 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MZT3055  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MZT3055

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MZT3055 даташит

 ..1. Size:186K  cdil
 mzt3055 mzt2955.pdf pdf_icon

MZT3055

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS MZT2955 PNP MZT3055 NPN SOT-223 Formed SMD Package With excellent Safe Operating Area, ideal for Hi-Fi Amplifier and Switching Regulator Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 60 V VCBO Collector

Другие транзисторы: CSD882P, CSD882Q, CSD882R, CSDL468, CSL13003, CTU83, CVL639, CVL640, BD135, P2N2369, P2N2369A, P2N2907A, PN100, PN200, 2CF2325, SL100, 2N23867