CSB507E Todos los transistores

 

CSB507E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSB507E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-220

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CSB507E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:240K  cdil
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CSB507E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB507, CSD313 CSB507 PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD313 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Low frequency Power Amplifier Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. E B F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83

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History: BUY56-6 | CSB507

 

 
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