CSB507E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CSB507E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSB507E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB507E

 

CSB507E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:240K  cdil
 csb507 csd313.pdf pdf_icon

CSB507E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB507, CSD313 CSB507 PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD313 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Low frequency Power Amplifier Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. E B F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83

Другие транзисторы... CSB1086B , CSB1086N , CSB1086P , CSB1086Q , CSB1086R , CSB507 , CSB507C , CSB507D , TIP42C , CSB507F , CSB624 , CSB817F , CSB817OF , CSB817YF , CSB834 , CSB834O , CSB834Y .

 

 
Back to Top

 


 
.