2SC5032 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5032 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 8
Encapsulados: TO-220E
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2SC5032 datasheet
2sc5032.pdf
Power Transistors 2SC5032 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 2.6 0.1 Full-pack package with outstanding insulatio
2sc500 2sc501 2sc502 2sc503 2sc504 2sc505 2sc506 2sc507 2sc508 2sc509 2sc510 2sc511.pdf
2sc5036.pdf
Power Transistors 2SC5036, 2SC5036A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High-speed switching 3.2 0.1 High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package with outstanding insulation,
Otros transistores... 2SC5009, 2SC5010, 2SC5012, 2SC5013, 2SC5014, 2SC5015, 2SC5018, 2SC5019, TIP31, 2SC5037, 2SC5037A, 2SC5041, 2SC5043, 2SC5044, 2SC5045, 2SC5046, 2SC5049
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: NA12EG
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Liste
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