2SC5032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5032  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-220E

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5032

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5032 даташит

 ..1. Size:59K  panasonic
 2sc5032.pdf pdf_icon

2SC5032

Power Transistors 2SC5032 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 2.6 0.1 Full-pack package with outstanding insulatio

 8.1. Size:743K  1
 2sc500 2sc501 2sc502 2sc503 2sc504 2sc505 2sc506 2sc507 2sc508 2sc509 2sc510 2sc511.pdf pdf_icon

2SC5032

 8.2. Size:211K  toshiba
 2sc5030.pdf pdf_icon

2SC5032

 8.3. Size:60K  panasonic
 2sc5036.pdf pdf_icon

2SC5032

Power Transistors 2SC5036, 2SC5036A Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 Features 9.9 0.3 2.9 0.2 High-speed switching 3.2 0.1 High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package with outstanding insulation,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5009, 2SC5010, 2SC5012, 2SC5013, 2SC5014, 2SC5015, 2SC5018, 2SC5019, TIP31, 2SC5037, 2SC5037A, 2SC5041, 2SC5043, 2SC5044, 2SC5045, 2SC5046, 2SC5049