2SC5070 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC5070 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 260 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 600
Encapsulados: FLP
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2SC5070 datasheet
2sc5070.pdf
Ordering number EN4473 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5070 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Driver Applications Features Package Dimensions High current capacity. unit mm Adoption of MBIT process. 2084A High DC current gain. [2SC5070] Low collector-to-emitter saturation voltage. 4.5 1.9 2.6 10.5 High VEBO. 1.2 1.4 1.2 0.5 1.6 0.5 1 2
2sc500 2sc501 2sc502 2sc503 2sc504 2sc505 2sc506 2sc507 2sc508 2sc509 2sc510 2sc511.pdf
Otros transistores... 2SC5046, 2SC5049, 2SC5050, 2SC5051, 2SC5052, 2SC5060, 2SC5063, 2SC5069, D880, 2SC5077, 2SC5077A, 2SC5078, 2SC5079, 2SC5080, 2SC5081, 2SC5089, 2SC5090
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: NA21YJ | NA22XI | MJE2801T | BD611 | 2N5930 | 2SC3383R | NA21FI
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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