2SC5070 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC5070 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5070 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600

Корпус транзистора: FLP

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC5070

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC5070 даташит

..1. Size:106K sanyo
2sc5070.pdf pdf_icon

Ordering number EN4473 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5070 Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Driver Applications Features Package Dimensions High current capacity. unit mm Adoption of MBIT process. 2084A High DC current gain. [2SC5070] Low collector-to-emitter saturation voltage. 4.5 1.9 2.6 10.5 High VEBO. 1.2 1.4 1.2 0.5 1.6 0.5 1 2

8.1. Size:743K 1
2sc500 2sc501 2sc502 2sc503 2sc504 2sc505 2sc506 2sc507 2sc508 2sc509 2sc510 2sc511.pdf pdf_icon