2SC5111 Todos los transistores

 

2SC5111 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC5111
   Código: MD_ME
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: 2-2H1A
 

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Principales características: 2SC5111

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2SC5111

2SC5111 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111 For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature

 0.1. Size:132K  toshiba
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2SC5111

2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction tempera

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History: BC337PL | MUN5235DW1T1G

 

 
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