2SC5111 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC5111  📄📄 

Código: MD_ME

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: 2-2H1A

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2SC5111 datasheet

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2SC5111

2SC5111 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111 For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature

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2SC5111

2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction tempera

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