2SC5111 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5111  📄📄 

Маркировка: MD_ME

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: 2-2H1A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5111

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5111 даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
2sc5111.pdfpdf_icon

2SC5111

2SC5111 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111 For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature

 0.1. Size:132K  toshiba
2sc5111ft.pdfpdf_icon

2SC5111

2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction tempera

Другие транзисторы: 2SC5091, 2SC5093, 2SC5094, 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, BC547B, 2SC5121, 2SC5125, 2SC5127, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139