2SA1978 Todos los transistores

 

2SA1978 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1978
   Código: T93
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: 3MM
 

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2SA1978 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  nec
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2SA1978

DATA SHEETPRELIMINARY DATA SHEETSilicon Transistor2SA1978PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMICROWAVE AMPLIFIERFEATURES PACKAGE DIMENSIONSHigh f (in milimeters)T_2.8+0.2f = 5.5 GHz TYP.T+0.1| S | 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.1521e CE CHigh speed switching characteristicsEquivalent NPN transistor is the 2SC2

 8.1. Size:191K  toshiba
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2SA1978

 8.2. Size:194K  toshiba
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 8.3. Size:44K  sanyo
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2SA1978

Ordering number:ENN5613PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1973/2SC5310DC/DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm Large current capacitance.2018B Low collector-to-emitter saturation voltage.[2SA1973/2SC5310] High-speed switching.0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

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History: BCW66 | RN2502 | 2SB29 | BCW60C | BFT80 | 40347L | NSVBC858BLT1G

 

 
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