2SA1978 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1978  📄📄 

Маркировка: T93

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 3MM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1978

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1978 даташит

 ..1. Size:60K  nec
2sa1978.pdfpdf_icon

2SA1978

DATA SHEET PRELIMINARY DATA SHEET Silicon Transistor 2SA1978 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES PACKAGE DIMENSIONS High f (in milimeters) T _ 2.8+0.2 f = 5.5 GHz TYP. T +0.1 S 2 = 10.0 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = -10 V, I = -15 mA 1.5 0.65 0.15 21e CE C High speed switching characteristics Equivalent NPN transistor is the 2SC2

 8.1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA1978

 8.2. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1978

 8.3. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA1978

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

Другие транзисторы: 2SA1960, 2SA1961, 2SA1963, 2SA1964, 2SA1965, 2SA1969, 2SA1973, 2SA1977, 2N3904, 2SA1979, 2SA1982, 2SA1989, 2SA1993, 2SA2004, 2SA2005, 2SA2007, 2SA2009