2SA1982 Todos los transistores

 

2SA1982 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1982
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 130
   Paquete / Cubierta: MT2
 

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2SA1982 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  panasonic
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2SA1982

Transistor2SA1982Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency high breakdown voltage amplificationUnit: mmComplementary to 2SC53462.5 0.11.056.9 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.0 0.8FeaturesSatisfactory foward current transfer ratio hFE collector current ICcharacteristics.0.65 max.High collector to emitter voltage VCEO.Small collector output capacitance Cob.Mak

 ..2. Size:37K  panasonic
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Transistor2SA1982Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency high breakdown voltage amplificationUnit: mmComplementary to 2SC53462.5 0.11.056.9 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.0 0.8FeaturesSatisfactory foward current transfer ratio hFE collector current ICcharacteristics.0.65 max.High collector to emitter voltage VCEO.Small collector output capacitance Cob.Mak

 8.1. Size:173K  toshiba
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 8.2. Size:173K  toshiba
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History: BDV65B | 9016I | 2SB758A | KT3132B-2

 

 
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