2SA1982 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1982  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 130

Корпус транзистора: MT2

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1982

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1982 даташит

 ..1. Size:42K  panasonic
2sa1982 e.pdfpdf_icon

2SA1982

Transistor 2SA1982 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm Complementary to 2SC5346 2.5 0.1 1.05 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics. 0.65 max. High collector to emitter voltage VCEO. Small collector output capacitance Cob. Mak

 ..2. Size:37K  panasonic
2sa1982.pdfpdf_icon

2SA1982

Transistor 2SA1982 Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm Complementary to 2SC5346 2.5 0.1 1.05 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics. 0.65 max. High collector to emitter voltage VCEO. Small collector output capacitance Cob. Mak

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1987.pdfpdf_icon

2SA1982

 8.2. Size:173K  toshiba
2sa1986.pdfpdf_icon

2SA1982

Другие транзисторы: 2SA1963, 2SA1964, 2SA1965, 2SA1969, 2SA1973, 2SA1977, 2SA1978, 2SA1979, 2N5551, 2SA1989, 2SA1993, 2SA2004, 2SA2005, 2SA2007, 2SA2009, 2SA2010, 2SA2011