2SA1989 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1989  📄📄 

Código: TQ_TR_TS_TT

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SUPER-MINI

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2SA1989 datasheet

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2SA1989

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION http //www.idc-com.co.jp 6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN Keep safety in your circuit designs ! Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with

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DATA SHEET Silicon Power Transistor 2SA1988 PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SA1988 is PNP Silicon Power Transistor that designed for audio frequency power amplifier. 4.7 MAX. 15.7 MAX. 3.2 0.2 1.5 FEATURES 4 High Voltage VCEO = -200 V DC Current Gain hFE = 70 to 200 TO-3P Package 1 2 3 ORDERING INFORMAT

Otros transistores... 2SA1964, 2SA1965, 2SA1969, 2SA1973, 2SA1977, 2SA1978, 2SA1979, 2SA1982, C945, 2SA1993, 2SA2004, 2SA2005, 2SA2007, 2SA2009, 2SA2010, 2SA2011, 2SA2014