2SA1989 Todos los transistores

 

2SA1989 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1989
   Código: TQ_TR_TS_TT
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SUPER-MINI
 

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2SA1989 Datasheet (PDF)

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ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONhttp://www.idc-com.co.jp6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPANKeep safety in your circuit designs !Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with

 8.1. Size:173K  toshiba
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DATA SHEETSilicon Power Transistor2SA1988PNP SILICON TRANSISTORPOWER AMPLIFIERINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SA1988 is PNP Silicon Power Transistor thatdesigned for audio frequency power amplifier.4.7 MAX.15.7 MAX. 3.20.21.5FEATURES4 High Voltage VCEO = -200 V DC Current Gain hFE = 70 to 200 TO-3P Package1 2 3ORDERING INFORMAT

Otros transistores... 2SA1964 , 2SA1965 , 2SA1969 , 2SA1973 , 2SA1977 , 2SA1978 , 2SA1979 , 2SA1982 , 2N5401 , 2SA1993 , 2SA2004 , 2SA2005 , 2SA2007 , 2SA2009 , 2SA2010 , 2SA2011 , 2SA2014 .

 

 
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