2SA1989 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1989  📄📄 

Маркировка: TQ_TR_TS_TT

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SUPER-MINI

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1989

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1989 даташит

 ..1. Size:136K  isahaya
2sa1989.pdfpdf_icon

2SA1989

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION http //www.idc-com.co.jp 6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN Keep safety in your circuit designs ! Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1987.pdfpdf_icon

2SA1989

 8.2. Size:173K  toshiba
2sa1986.pdfpdf_icon

2SA1989

 8.3. Size:47K  nec
2sa1988.pdfpdf_icon

2SA1989

DATA SHEET Silicon Power Transistor 2SA1988 PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SA1988 is PNP Silicon Power Transistor that designed for audio frequency power amplifier. 4.7 MAX. 15.7 MAX. 3.2 0.2 1.5 FEATURES 4 High Voltage VCEO = -200 V DC Current Gain hFE = 70 to 200 TO-3P Package 1 2 3 ORDERING INFORMAT

Другие транзисторы: 2SA1964, 2SA1965, 2SA1969, 2SA1973, 2SA1977, 2SA1978, 2SA1979, 2SA1982, C945, 2SA1993, 2SA2004, 2SA2005, 2SA2007, 2SA2009, 2SA2010, 2SA2011, 2SA2014