STS8550 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS8550 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 19 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO-92
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STS8550 datasheet
sts8550.pdf
STS8550 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions High current application Radio in class B push-pull operation Feature Complementary pair with STS8050 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS8550 STS8550 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06 0.1 1.27 Typ. 2.54 Typ. 1 2 3 PIN Conn
Otros transistores... PUA3117, PUA3228, PZTA29, SD1391, SD1398, SJ5436, SJ5437, SJ5439, BD778, TN3019A, TN3440A, TN4033A, TN5320A, TN5415A, TN6705A, TN6707A, TN6716A
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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