Биполярный транзистор STS8550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STS8550
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO-92
STS8550 Datasheet (PDF)
..1. Size:96K auk
sts8550.pdf
sts8550.pdf
STS8550SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions High current application Radio in class B push-pull operationFeature Complementary pair with STS8050Ordering InformationType NO. Marking Package Code STS8550 STS8550 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.1 2 3PIN Conn
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050