STS8550 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS8550  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для STS8550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STS8550 даташит

 ..1. Size:96K  auk
 sts8550.pdf pdf_icon

STS8550

STS8550 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions High current application Radio in class B push-pull operation Feature Complementary pair with STS8050 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS8550 STS8550 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06 0.1 1.27 Typ. 2.54 Typ. 1 2 3 PIN Conn

Другие транзисторы: PUA3117, PUA3228, PZTA29, SD1391, SD1398, SJ5436, SJ5437, SJ5439, BD778, TN3019A, TN3440A, TN4033A, TN5320A, TN5415A, TN6705A, TN6707A, TN6716A