159NT1E Todos los transistores

 

159NT1E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 159NT1E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
 

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159NT1E datasheet

 8.1. Size:78K  onsemi
 ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf pdf_icon

159NT1E

NTLJS4159N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V

 8.2. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

159NT1E

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History: KTC3553T | 2SC1132

 

 

 


 
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