Биполярный транзистор 159NT1E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 159NT1E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
159NT1E Datasheet (PDF)
8.1. Size:78K onsemi
ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf
ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf
NTLJS4159NPower MOSFET30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate30 V
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
