159NT1E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 159NT1E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 159NT1E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

159NT1E даташит

 8.1. Size:78K  onsemi
 ntljs4159n ntljs4159nt1g.pdf pdf_icon

159NT1E

NTLJS4159N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, mCoolt Single N-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) in 2x2 mm Package 35 mW @ 4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate 30 V

 8.2. Size:444K  russia
 k129nt1 k159nt1 b1129nt1.pdf pdf_icon

159NT1E

Другие транзисторы: K129NT1D-1, K129NT1E-1, K129NT1ZH-1, 159NT1A, 159NT1B, 159NT1V, 159NT1G, 159NT1D, BC639, K159NT1A, K159NT1B, K159NT1V, K159NT1G, K159NT1D, K159NT1E, 1129NTV1, B1129NT1V-1