T5610 Todos los transistores

 

T5610 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T5610
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 38 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO92L

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T5610 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:186K  lge
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T5610

TPT5610 TO-92L Transistor (PNP) TO-92L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.700 5.100 2 3 1 Features Excellent linearity of Current Gain 7.800 8.200 Low saturation voltage 0.600 Complementary to TPT5609 0.800 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 0.350 0.550 13.800 VCBO -25 V Collector- Base Voltage 14.200 VCEO -20

 0.2. Size:447K  can-sheng
 t5610-92l.pdf pdf_icon

T5610

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO-92L 5610 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES Excellent linearity of Current Gain 2. COLLECTOR Low saturation voltage 3. BASE Complementary to TPT5609 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter

 0.3. Size:138K  blue-rocket-elect
 hit5610.pdf pdf_icon

T5610

Otros transistores... K159NT1D , K159NT1E , 1129NTV1 , B1129NT1V-1 , CS13001 , CS13002 , CS13003 , T5609 , BD136 , TPT5609 , TPT5610 , 2SC4977 , 2SA1013T , 2SA1015M , 2SA1577W , 2SA1930I , 2SA2050 .

History: TA1829

 

 
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