T5610 Todos los transistores

 

T5610 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T5610
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 38 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO92L
 

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T5610 Datasheet (PDF)

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T5610

TPT5610 TO-92L Transistor (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.7005.100 2 3 1Features Excellent linearity of Current Gain 7.8008.200 Low saturation voltage 0.600 Complementary to TPT5609 0.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units0.3500.55013.800VCBO -25 V Collector- Base Voltage 14.200VCEO -20

 0.2. Size:447K  can-sheng
 t5610-92l.pdf pdf_icon

T5610

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.comTO-92L Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92L 5610 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES Excellent linearity of Current Gain 2. COLLECTOR Low saturation voltage 3. BASE Complementary to TPT5609 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter

 0.3. Size:138K  blue-rocket-elect
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T5610

HIT5610(3CG5610) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: Power amplifier and switching electronic application, governor applications. :, HIT5609(3DG5609) Features: Low saturation voltage, complementary pair with HIT5609(3DG5609). /Absolute maximum ratings(Ta=25

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: TIP106 | MMBTSA812G | MMBTH10A | TIP36F | KZT4403 | SZD965 | KTX201U

 

 
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