T5610 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: T5610  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для T5610

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

T5610 даташит

 0.1. Size:186K  lge
 tpt5610.pdf pdf_icon

T5610

TPT5610 TO-92L Transistor (PNP) TO-92L 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.700 5.100 2 3 1 Features Excellent linearity of Current Gain 7.800 8.200 Low saturation voltage 0.600 Complementary to TPT5609 0.800 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 0.350 0.550 13.800 VCBO -25 V Collector- Base Voltage 14.200 VCEO -20

 0.2. Size:447K  can-sheng
 t5610-92l.pdf pdf_icon

T5610

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO-92L 5610 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES Excellent linearity of Current Gain 2. COLLECTOR Low saturation voltage 3. BASE Complementary to TPT5609 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter

 0.3. Size:138K  blue-rocket-elect
 hit5610.pdf pdf_icon

T5610

Другие транзисторы: K159NT1D, K159NT1E, 1129NTV1, B1129NT1V-1, CS13001, CS13002, CS13003, T5609, BD136, TPT5609, TPT5610, 2SC4977, 2SA1013T, 2SA1015M, 2SA1577W, 2SA1930I, 2SA2050