FTB1261 Todos los transistores

 

FTB1261 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB1261
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTB1261 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  first silicon
 ftb1261.pdf pdf_icon

FTB1261

SEMICONDUCTORFTB1261TECHNICAL DATAFTB1261 TRANSISTOR (PNP) AICJFEATURES Low VCE(sat) High DC Current Gain DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) H 1 00 MAXI 2 30 0 2F F LJ 0 5 0 1Symbol Parameter Value Unit L 0 50 0 101 2 3O 1 6

 8.1. Size:100K  first silicon
 ftb1260.pdf pdf_icon

FTB1261

SEMICONDUCTORFTB1260TECHNICAL DATAACHFTB1260 TRANSISTOR (PNP) GFEATURES DD Power Transistor KF F High Voltage and Current DIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+ Low Collector-emitter saturation voltage B 2.50 0.20C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Complements the FTD1898 E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MAX2. COLLECTORJ 0.7 MIN3.

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