FTB1261 Todos los transistores

 

FTB1261 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB1261
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTB1261 datasheet

 ..1. Size:406K  first silicon
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FTB1261

SEMICONDUCTOR FTB1261 TECHNICAL DATA FTB1261 TRANSISTOR (PNP) A I C J FEATURES Low VCE(sat) High DC Current Gain DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) H 1 00 MAX I 2 30 0 2 F F L J 0 5 0 1 Symbol Parameter Value Unit L 0 50 0 10 1 2 3 O 1 6

 8.1. Size:100K  first silicon
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FTB1261

SEMICONDUCTOR FTB1260 TECHNICAL DATA A C H FTB1260 TRANSISTOR (PNP) G FEATURES D D Power Transistor K F F High Voltage and Current DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + Low Collector-emitter saturation voltage B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Complements the FTD1898 E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MAX 2. COLLECTOR J 0.7 MIN 3.

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