FTB1261 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTB1261  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO252 DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTB1261

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB1261 даташит

 ..1. Size:406K  first silicon
 ftb1261.pdf pdf_icon

FTB1261

SEMICONDUCTOR FTB1261 TECHNICAL DATA FTB1261 TRANSISTOR (PNP) A I C J FEATURES Low VCE(sat) High DC Current Gain DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 D 1 50 0 2 E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 H MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) H 1 00 MAX I 2 30 0 2 F F L J 0 5 0 1 Symbol Parameter Value Unit L 0 50 0 10 1 2 3 O 1 6

 8.1. Size:100K  first silicon
 ftb1260.pdf pdf_icon

FTB1261

SEMICONDUCTOR FTB1260 TECHNICAL DATA A C H FTB1260 TRANSISTOR (PNP) G FEATURES D D Power Transistor K F F High Voltage and Current DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + Low Collector-emitter saturation voltage B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Complements the FTD1898 E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MAX 2. COLLECTOR J 0.7 MIN 3.

Другие транзисторы: FTA8550H, FTA916, FTA928A, FTB1116A, FTB1151, FTB1184, FTB1197K, FTB1260, 2SD1555, FTB1366, FTB1366F, FTB1386, FTB1412, FTB1424, FTB5240, FTB649A, FTB772