Справочник транзисторов. FTB1261

 

Биполярный транзистор FTB1261 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTB1261
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для FTB1261

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB1261 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  first silicon
 ftb1261.pdf pdf_icon

FTB1261

SEMICONDUCTORFTB1261TECHNICAL DATAFTB1261 TRANSISTOR (PNP) AICJFEATURES Low VCE(sat) High DC Current Gain DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) H 1 00 MAXI 2 30 0 2F F LJ 0 5 0 1Symbol Parameter Value Unit L 0 50 0 101 2 3O 1 6

 8.1. Size:100K  first silicon
 ftb1260.pdf pdf_icon

FTB1261

SEMICONDUCTORFTB1260TECHNICAL DATAACHFTB1260 TRANSISTOR (PNP) GFEATURES DD Power Transistor KF F High Voltage and Current DIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+ Low Collector-emitter saturation voltage B 2.50 0.20C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10 Complements the FTD1898 E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEH 1.7 MAX2. COLLECTORJ 0.7 MIN3.

Другие транзисторы... FTA8550H , FTA916 , FTA928A , FTB1116A , FTB1151 , FTB1184 , FTB1197K , FTB1260 , 2N2907 , FTB1366 , FTB1366F , FTB1386 , FTB1412 , FTB1424 , FTB5240 , FTB649A , FTB772 .

History: CSC2274D | 2S3210

 

 
Back to Top

 


 
.