FTB834 Todos los transistores

 

FTB834 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB834
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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FTB834 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  first silicon
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FTB834

SEMICONDUCTORFTB834TECHNICAL DATA FTB834 TRANSISTOR (PNP) AOFEATURES C Low Collector -Emitter Saturation Voltage FE VCE(sat)=1.0v(Max)@ IC=-3A,IB=-0.3A BDIM MILLIMETERS DC current Gain A 10.15 0.15 B 15.30 MAX hFE =60-200@ IC=0.5A C 1.3+0.1/-0.15PD 0.8 0.1 Complementary to NPN FTD880 E 3.8 0.2F 2.7 0.2JH 0.4 0.15MAXIMUM RATINGS (T

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History: 2SA2094

 

 
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