FTB834 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTB834  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO220AB

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FTB834 datasheet

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FTB834

SEMICONDUCTOR FTB834 TECHNICAL DATA FTB834 TRANSISTOR (PNP) A O FEATURES C Low Collector -Emitter Saturation Voltage F E VCE(sat)=1.0v(Max)@ IC=-3A,IB=-0.3A B DIM MILLIMETERS DC current Gain A 10.15 0.15 B 15.30 MAX hFE =60-200@ IC=0.5A C 1.3+0.1/-0.15 P D 0.8 0.1 Complementary to NPN FTD880 E 3.8 0.2 F 2.7 0.2 J H 0.4 0.15 MAXIMUM RATINGS (T

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