FTB834 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTB834  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTB834

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB834 даташит

 ..1. Size:233K  first silicon
 ftb834.pdf pdf_icon

FTB834

SEMICONDUCTOR FTB834 TECHNICAL DATA FTB834 TRANSISTOR (PNP) A O FEATURES C Low Collector -Emitter Saturation Voltage F E VCE(sat)=1.0v(Max)@ IC=-3A,IB=-0.3A B DIM MILLIMETERS DC current Gain A 10.15 0.15 B 15.30 MAX hFE =60-200@ IC=0.5A C 1.3+0.1/-0.15 P D 0.8 0.1 Complementary to NPN FTD880 E 3.8 0.2 F 2.7 0.2 J H 0.4 0.15 MAXIMUM RATINGS (T

Другие транзисторы: FTB1386, FTB1412, FTB1424, FTB5240, FTB649A, FTB772, FTB772D, FTB772F, TIP41C, FTC1008, FTC1027, FTC1318, FTC1675, FTC1815, FTC2316, FTC2328A, FTC2330