Биполярный транзистор FTB834 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FTB834
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO220AB
FTB834 Datasheet (PDF)
..1. Size:233K first silicon
ftb834.pdf
ftb834.pdf
SEMICONDUCTORFTB834TECHNICAL DATA FTB834 TRANSISTOR (PNP) AOFEATURES C Low Collector -Emitter Saturation Voltage FE VCE(sat)=1.0v(Max)@ IC=-3A,IB=-0.3A BDIM MILLIMETERS DC current Gain A 10.15 0.15 B 15.30 MAX hFE =60-200@ IC=0.5A C 1.3+0.1/-0.15PD 0.8 0.1 Complementary to NPN FTD880 E 3.8 0.2F 2.7 0.2JH 0.4 0.15MAXIMUM RATINGS (T
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
