Справочник транзисторов. FTB834

 

Биполярный транзистор FTB834 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTB834
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для FTB834

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB834 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  first silicon
 ftb834.pdf pdf_icon

FTB834

SEMICONDUCTORFTB834TECHNICAL DATA FTB834 TRANSISTOR (PNP) AOFEATURES C Low Collector -Emitter Saturation Voltage FE VCE(sat)=1.0v(Max)@ IC=-3A,IB=-0.3A BDIM MILLIMETERS DC current Gain A 10.15 0.15 B 15.30 MAX hFE =60-200@ IC=0.5A C 1.3+0.1/-0.15PD 0.8 0.1 Complementary to NPN FTD880 E 3.8 0.2F 2.7 0.2JH 0.4 0.15MAXIMUM RATINGS (T

Другие транзисторы... FTB1386 , FTB1412 , FTB1424 , FTB5240 , FTB649A , FTB772 , FTB772D , FTB772F , AC125 , FTC1008 , FTC1027 , FTC1318 , FTC1675 , FTC1815 , FTC2316 , FTC2328A , FTC2330 .

History: MMCM3905 | 2SB631F

 

 
Back to Top

 


 
.